拉晶過程全程自動化

在惰性氣體環境中，用石墨加熱器將硅材料熔化，

用直拉法生長無位錯單晶的設備。

?

性能優勢

設備主體結構優化，提高了整機穩定性。

具有拉制12英寸COP FREE半導體單晶硅棒的功能。

采用新型隔離閥。

液面高度監控系統。

高精度傳動機構。

雙層水冷套、可升降雙層水冷屏。

?

如需獲取6寸半導體級單晶爐具體數據，請向漢虹銷售工程師咨詢溝通。